Описание оборудования
Установка HL9900 предназначена для измерения удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей при комнатной температуре и при температуре жидкого азота в полупроводниковых структурах на основе Si, GaAs, InP, SiC, GaN.
Измеритель HL9900 сконфигурирован для обработки подложек GaAs и GaN со слоевым сопротивлением от 0,1 мОм до 1 МОм при температуре от 90 К до 500 К. Магнитное поле более 0.5 Тл.

Основные характеристики
Слоевое сопротивление |
0,1 мОм до 1 МОм |
---|---|
Концентрация носителей заряда |
106 до 1021 см-3 |
Подвижность |
1 до 107 см2/В∙с |
Диапазон задаваемых токов |
100 нА до 19.9 мА |
Измерение напряжений |
–6 В до 6 В |
Температура |
90 К до 500 К |
Сервис и ремонт измерительного оборудования
ФОРМА ДЛЯ
ОБРАТНОЙ СВЯЗИ
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю согласие на обработку персональных данных.
Напишите свой вопрос, укажите интересующее оборудование.