Установка HL9900 предназначена для измерения удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей при комнатной температуре и при температуре жидкого азота в полупроводниковых структурах на основе Si, GaAs, InP, SiC, GaN.
Установка HL9900 сконфигурирована для обработки подложек GaAs и GaN со слоевым сопротивлением от 0,1 мОм до 1 МОм при температуре от 90 К до 500 К. Магнитное поле более 0.5 Тл.
Описание оборудования

Основные характеристики
Слоевое сопротивление |
0,1 мОм до 1 МОм |
---|---|
Концентрация носителей заряда |
106 до 1021 см-3 |
Подвижность |
1 до 107 см2/В∙с |
Диапазон задаваемых токов |
100 нА до 19.9 мА |
Измерение напряжений |
–6 В до 6 В |
Температура |
90 К до 500 К |
Сервис и ремонт измерительного оборудования
Выезд сервис-инженера
В кратчайшие сроки к вам приедет наш сервисный инженер для проведения ремонта.
Сервисный договор
Обслуживание «под ключ»: график выездов, экстренные выезды,склад запчастей «быстрого реагирования».
Диагностика и ремонт
Ремонтируем аналитическое и лабораторное оборудование всех ведущих марок, как представляемых эксклюзивно нами, так и сторонних производителей.
Гарантия и качество
Большой опыт оказания услуг по сервисному обслуживанию и ремонту измерительного оборудования.
ФОРМА ДЛЯ
ОБРАТНОЙ СВЯЗИ
Нажимая на кнопку "Отправить", я даю согласие на обработку персональных данных.
Напишите свой вопрос, укажите интересующее оборудование.
Наша почта
sales@imc-systems.ru
Наш телефон
+7 (495) 374-04-01