Эффузионные ячейки

Низкотемпературные эффузионные ячейки предназначены для испарения материалов с высокой упругостью паров, а также органических материалов.

• Подходит для испарения материалов с высоким давлением насыщенного пара, а также органических материалов
• Температурный диапазон от 80 °С до 400 °С / от 300 °С до 700 °С
• Чрезвычайно стабильные скорости потока
• Различные размеры тиглей и их материалов
• Различные конфигурации нитей накаливания

Стандартные эффузионные ячейки обычно используются для пробоподготовки, роста тонких пленок и в молекулярно-пучковой эпитаксии. Они предназначены для испарения материалов элементов и соединений или для сублимации в диапазоне температур вплоть до 1400 °С.

• Подходит для испарения большинства материалов, температура испарения которых ниже 1400 °C
• Чрезвычайно стабильные скорости потока
• Различные размеры тиглей и их материалов
• Различные конфигурации нитей накаливания

Высокотемпературные эффузионные ячейки разработаны для элементов с низкой температурой испарения и компаундов с температурой испарения до 2000° C.

• Подходит для испарения большинства материалов с температурой доя 1900° C (2000° C)
• Чрезвычайно стабильные скорости потока 
• Вольфрамовый элемент (HTEZ)
• Нити из высокочистого пиролитического графита (PG)(HTS)
• Различные крнфигурации тиглей 

Эффузионные ячейки для производства поставляются с коническими или цилиндрическими тиглями и дают очень точную вопсроизводиомсть потока и однородность толщины. Используя различные конфигурации вставок в комбинации с тиглями высокой емкости можно дастичь очень высокого уровня использования материала и стабильности потока. 

• Точное воспроизведение потока между циклами работы 
• Выдающаяся надежность
• Очень стабильный поток
• Различные вставки для конфигурирования луча (под заказ)
• Конигуриремые формы и материалы тиглей и нитей

Устойчивые к воздействию кислорода эффузионные ячейки разработаны для работы в условиях атмосферы обогащенной кислородом или агрессивными газами в диапазоне давления от 10-4 мбар/торр до нескольких мбар/торр. Использование специальных никелевых сплавов в конструкции позволяет использование источника в агрессивных средах с температурой до 1000° C. Опционально возможно использование сплавово с благородными металлами позволяет повысить рабочую температуру до 1200°C.

• Устойчивая к кислороду модель для стандартных ячеек (WEZ, PEZ, NTEZ) 
• Нагреватель из сплава Ni до 1000°C 
• Нагреватель из сплава благородных металлов 1200°C 
• Диапазон давлений от UHV до нескольких мбар
• Конфигуриремые формы и материалы тиглей и нитей

Эффузионные ячейки для органики с прекрасными свойствами при низких температурах. Благодаря концепции охлаждения ячеки серии OME идеально подходят для испарения температурочувствительных материалов, органических молекул (OLED) или полимеров. 

• Thermal Conduction Cooling (TCC)
• Идельно подходит для испарения органических материало и OLED 
• Температурный диапазон от 15° C до 350° C
• Опция низких температур

Свободностоящая кремниевая нить нагревается непосредственно электрическим током в окружении защитных элекментов из высокочистого кремния. 

За счет эффективного водяного охлаждения и защиты, изготовленной только из кремния, не происходит экстремального нагрева металлических и керамических компонентов. Изолирующие компоненты из керамики используются в горячей зоне.

Т.к. сублимационная нить полностью окружена Si, сублимационные источники SUSI дают чрезвычайно чистый поток Si. В хорошо сконструированной камере возможно достижение 10-10 торр даже при работе источника SUSI на максимальных скоростях роста.

• Росто тонких слоев Si 
• Легирование крмением высокомобильных гетероструктур GaAs/AlGaAs 
• Простое и быстрое управление потоком
• Сверхвысокочистые кремниевые нити

Источник для легирования углеродом SUKO- это выскооптимизированный источник для легирования углеродом p-типа в III-V MBE. SUKO позволяет получать очень чистый и стабильный поток на низких скоростях осаждения до 2 Å/мин. Максимально достижимая толщина C с одной нитью составляет 5 мкм, и слои высоколегированного GaAs могут достигать 1 мм.

Сублимация углерода требует очень высоких температур — до 2300° C. Для этого, специально разработанная конструкция изолирует горячую зону за счет пластин пиролитического графита (PG).

• Рост Si-C и Si-Ge-C систем
• легирование P-типа в III-V MBE
• Простое и быстрое управление потоком
• Нити из пиролитического графита

Источник для легирования фосфором DECO является источник сверхчистого P2, и работает на принципе декомпозиции соединения GaP. На типичных рабочих температурах 600° C — 700° C, GaP естественным образом разлагается на Ga и P2. Дополнительный  крекинг не является необходимостью и накопление P4 (белый фосфор) сведено к минимуму.

• Источник сверхчистого фосфора (P2)
• Работает по принципы эффузионной ячейки 
• Быстрый и удобный контроль потока
• Безопасные и чистые методики роста и легирования