![]() |
Низкотемпературные эффузионные ячейки предназначены для испарения материалов с высокой упругостью паров, а также органических материалов.
|
![]() |
Стандартные эффузионные ячейки обычно используются для пробоподготовки, роста тонких пленок и в молекулярно-пучковой эпитаксии. Они предназначены для испарения материалов элементов и соединений или для сублимации в диапазоне температур вплоть до 1400 °С.
|
![]() |
Высокотемпературные эффузионные ячейки разработаны для элементов с низкой температурой испарения и компаундов с температурой испарения до 2000° C.
|
![]() |
Эффузионные ячейки для производства поставляются с коническими или цилиндрическими тиглями и дают очень точную вопсроизводиомсть потока и однородность толщины. Используя различные конфигурации вставок в комбинации с тиглями высокой емкости можно дастичь очень высокого уровня использования материала и стабильности потока.
|
![]() |
Устойчивые к воздействию кислорода эффузионные ячейки разработаны для работы в условиях атмосферы обогащенной кислородом или агрессивными газами в диапазоне давления от 10-4 мбар/торр до нескольких мбар/торр. Использование специальных никелевых сплавов в конструкции позволяет использование источника в агрессивных средах с температурой до 1000° C. Опционально возможно использование сплавово с благородными металлами позволяет повысить рабочую температуру до 1200°C.
|
![]() |
Эффузионные ячейки для органики с прекрасными свойствами при низких температурах. Благодаря концепции охлаждения ячеки серии OME идеально подходят для испарения температурочувствительных материалов, органических молекул (OLED) или полимеров.
|
![]() |
Свободностоящая кремниевая нить нагревается непосредственно электрическим током в окружении защитных элекментов из высокочистого кремния. За счет эффективного водяного охлаждения и защиты, изготовленной только из кремния, не происходит экстремального нагрева металлических и керамических компонентов. Изолирующие компоненты из керамики используются в горячей зоне. Т.к. сублимационная нить полностью окружена Si, сублимационные источники SUSI дают чрезвычайно чистый поток Si. В хорошо сконструированной камере возможно достижение 10-10 торр даже при работе источника SUSI на максимальных скоростях роста.
|
![]() |
Источник для легирования углеродом SUKO- это выскооптимизированный источник для легирования углеродом p-типа в III-V MBE. SUKO позволяет получать очень чистый и стабильный поток на низких скоростях осаждения до 2 Å/мин. Максимально достижимая толщина C с одной нитью составляет 5 мкм, и слои высоколегированного GaAs могут достигать 1 мм. Сублимация углерода требует очень высоких температур — до 2300° C. Для этого, специально разработанная конструкция изолирует горячую зону за счет пластин пиролитического графита (PG).
|
![]() |
Источник для легирования фосфором DECO является источник сверхчистого P2, и работает на принципе декомпозиции соединения GaP. На типичных рабочих температурах 600° C — 700° C, GaP естественным образом разлагается на Ga и P2. Дополнительный крекинг не является необходимостью и накопление P4 (белый фосфор) сведено к минимуму.
|
Задать вопрос
Эффузионные ячейки