FOLLOW US ON
+7 (495) 374-04-01
Отраслевые решения
Задать вопрос

KLA-Tencor Candela 8720

Установка автоматического измерения дефектности KLA-Tencor Candela 8720 предназначена для контроля производственного процесса с использованием таких материалов как: GaN, сапфир, SiC, Si, GaAs, стекло и кварц, а так же многих других.

Многоканальная система датчиков KLA-Tencor Candela 8720 в непрерывном режиме измеряет рассеяние света в зависимости от угла падения, изменений профиля, коэффициента отражения и фазового сдвига для автоматического определения и классификации критических дефектов. Оборудование обеспечивает высокую чувствительность, значительную пропускную способность контроля и гибкость, что позволяет применять систему как для целей контроля уже налаженного производственного процесса, так и для разработки технологического процесса.


Технические особенности

  • Автоматизированный контроль производства светодиодных материалов, позволяющий повысить качество производимых подложек, увеличить скорость и пропускную способность контроля, а так же повысить его надежность;
  • Несколько оптических измерительных методик реализуются одновременно в одном сканировании для обеспечения максимальной эффективности автоматического распознавания дефектов и их классификации;
  • Повышенная чувствительность к критическим дефектам производства;
  • Продвинутые алгоритмы расшифровки результатов – возможность создания собственной библиотеки дефектов

 

 

Характеристики чувствительности к типовым дефектам

Тип дефекта

Материал

CS20R 

CS20V

8720

Частицы на

поверхности

Кремний

250 нм

80 нм

60 нм

Сапфир

300 нм

300 нм

248 нм

PSS

3 мкм

3 мкм

1112 нм

GaN на сапфире

1112 нм

1112 нм

499 нм

GaN на PSS

1112 нм

1112 нм

499 нм

Царапины

Сапфир

Глубина: 0,1 мкм

Длина: 5 мкм

Глубина: 0,03 мкм

Длина: 2 мкм

Глубина: 140 А

Длина: 0,4 мкм

GaN на сапфире

Глубина: 0,5 мкм

Длина: 5 мкм

Глубина: 0,15 мкм

Длина: 2 мкм

Глубина: 75 нм

Длина: 0,4 мкм

Эпитаксиальные

Кратеры

GaN на сапфире

15 мкм

15 мкм

0,3 мкм

GaN на PSS

15 мкм

15 мкм

0,6 мкм

Прочие

эпитаксиальные

дефекты

GaN на сапфире

Высота: 0,5 мкм

Длина: 100 мкм

Высота: 0,3 мкм

Длина: 100 мкм

Высота: 300 А

Длина: 30 мкм

GaN на PSS

Высота: 0,8 мкм

Длина: 100 мкм

Высота: 0,5 мкм

Длина: 100 мкм

Высота: 500 A

Длина: 30 мкм

 

 

Закрыть

Задать вопрос

Оборудование для контроля воды IMC Systems - научное оборудование, инспекция в полупроводниковой промышленности, оборудование для экологического мониторинга и контроля технологических процессов

ФИО*
Компания
E-mail*
Телефон*
Вопрос*